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台积电英特尔高管预测3D化将带动芯片性能提高

发布时间:2021-12-20 10:08:07 所属栏目:通讯 来源:互联网
导读:据集微网援引日经中文网报道,在 日本东京都内开幕的半导体展会Semicon Japan上,台积电(TSMC)和美国英特尔的高管发表演讲,预测称 3D 化将带动半导体性能提升。着眼新制造技术的开发,设备和材料厂商将发挥更加重要的作用。在 3D 封装生态系统的构建上,
据集微网援引日经中文网报道,在 日本东京都内开幕的半导体展会“Semicon Japan”上,台积电(TSMC)和美国英特尔的高管发表演讲,预测称 3D 化将带动半导体性能提升。着眼新制造技术的开发,设备和材料厂商将发挥更加重要的作用。“在 3D 封装生态系统的构建上,基板、封装等设备和材料将越来越重要”,在日本茨城县筑波市设置了研发基地的台积电总监 Chris Chen 这样强调。3D 化是在同一基板上集成更多芯片的技术。该基地将开发用树脂等封装半导体并将其配备在基板上的技术。
 
以台积电为代表的半导体大企业之所以大力研发 3D 封装技术,是因为仅靠传统的技术开发,已经难以满足以智能手机为代表的最终产品所要求的高性能。
 
此前对半导体性能提高起到重要作用的是缩小电子电路面积的“微细化”技术。但目前电路线宽已经微细化至几纳米,开发难度越来越高。因此,除了在一个芯片上集成微小电路之外,在同一基板上集成更多芯片的技术也成为关键。

(编辑:汉中站长网)

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